FLOSFIA、6インチ（150mm）サファイア基板上での酸化ガリウムエピタキシャル成膜に成功！

京大発スタートアップである株式会社FLOSFIA（本社：京都市、代表取締役社長：天田健嗣）は、世界で初めて実用化を進める酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）パワー半導体において、6インチ（150mm）サファイア基板上でのエピタキシャル成膜に成功し、膜厚の面内ばらつき約±3%を達成しました。

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本記事は企業・団体の発表をもとにPR HEADLINE編集部が整理したものです。数値や計画は発表時点の内容であり、変更される場合があります。